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FDMS3606AS |
8-PowerTDFN | Fairchild Semiconductor | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FDMS3606AS参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 13A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.7V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：1695pF @ 15V 功率 - 最大：2.2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 钽电容器293D477X96R3D2TE3 存储器BR25L040FVT-WE2 芯片电阻 - 表面RT0805FRE07487RL Mica 和 PTMCM01-001DD470K-F 芯片电阻 - 表面RT0805BRD076K98L 芯片电阻 - 表面RG1005V-1540-W-T1 芯片电阻 - 表面RG3216V-2550-W-T1 芯片电阻 - 表面9T12062A5233CBHFT 圆形CA3100E14S-11PB15 芯片电阻 - 表面RG1005V-3160-B-T5 |
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