| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FDMS3606AS |
8-PowerTDFN | Fairchild Semiconductor | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
||
|
FDMS3606AS参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 13A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.7V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：1695pF @ 15V 功率 - 最大：2.2W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 晶体ATS320B Card EdgeEMM22DRYI-S13 通孔电阻器PSP500JB-33R 存储器 - 模块MT9VDVF6472Y-40BF4 圆形DJT14E21-35JB 光隔离器 - 晶体CNC1S101S Card EdgeESM22DTBN-S273 PMIC - 监控BD4951G-TR PMIC - 电池BQ24705RGET AC DC 转换器SWT40-525 |
|||||